第188章 决战14nm遇EUV难题 重回1990:我的科技强国路
陈醒的指令如同一声號角,將未来科技最强的技术力量,从应对水果chiplet竞爭的明面战场,急速调往隱藏在华夏芯谷洁净室深处的、更为残酷的“追光”前线。
14nm工艺节点的攻坚,而极紫外(euv)光刻技术,就是横亘在这条路上那座必须翻越的、近乎绝望的雪山。
合城產业园,华夏芯谷,“追光计划”二期作战室。
气氛比之前攻克28nm时更加压抑,空气中仿佛瀰漫著一种面对物理法则极限的无力感。
林薇、金秉洙博士、梁志远,以及几位新加入的光学、等离子物理领域的顶尖专家,围坐在巨大的屏幕前,上面展示著euv光刻机那令人望而生畏的复杂结构图。
“陈总,情况比我们预想的还要严峻。”
金秉洙博士的声音带著嘶哑,他指著屏幕上euv的核心部分,
“我们必须自己造出能稳定输出13.5纳米波长光源的系统。这需要將微小的锡滴,用高功率的二氧化碳雷射器以每秒数万次的频率精准击中,將其激发成高温等离子体,从而辐射出极紫外光。仅仅是维持稳定、纯净、足够功率的光源,就是一个世界级的难题。”
梁志远接著补充,他的脸色同样凝重:
“这还只是第一步。euv光几乎能被所有物质吸收,传统的透镜系统完全无效,我们必须使用由上百层鉬/硅交替镀膜构成的多层膜反射镜来引导光路。每一层膜的厚度都必须控制在原子级別,任何微小的瑕疵都会导致光能急剧损耗。目前全球能製造这种镜片的厂商,屈指可数,並且全部在阿斯莫的严密控制之下。”
一位来自华科院东北光机所的光学专家推了推眼镜,语气沉重:
“我们自己的光学材料基础和精密加工能力,与国外顶尖水平存在代差。製造euv级別的反射镜,不仅仅是技术问题,更是材料科学、超精密加工、检测仪器等一系列基础工业能力的综合体现。我们……几乎是从零开始。”
林薇调出了一份初步的供应链评估报告,上面的红色標记触目惊心:
“高功率二氧化碳雷射器、超高真空系统、精密磁悬浮双工件台、对准和量测模块……euv光刻机涉及超过十万个零部件,其中核心子系统几乎全部被西方巨头垄断。阿斯莫公司本身也只是系统集成商,其背后是整个西方世界数十年积累的高端装备製造体系。我们面临的,不是一家公司,而是一个技术联盟构筑的铜墙铁壁。”
会议室里陷入了长久的沉默。28nm的深紫外(duv)光刻机,他们还能通过逆向工程、参数调优和自研光刻胶去奋力一搏。
但euv,是原理上的根本性不同,是工业皇冠上最璀璨也最难以企及的明珠。
这感觉,就像刚刚学会打造锋利铁器的部落,突然要去挑战一座全副武装的星际堡垒。
陈醒静静地听著,脸上看不出任何表情,只有指尖在桌面上缓慢而规律的叩击声,显示著他內心的波涛汹涌。
他深知,这不是靠热血和加班就能解决的问题。这是对国家整体科技实力和工业根基的终极考验。
“我们有没有可能,通过非euv的路线,去逼近14nm的性能?”
陈醒提出了一个关键问题,这是他一直在思考的后备方案。
章宸博士通过视频接入了会议,他刚刚结束了与水果架构的对比分析。
“理论上,通过多重图形技术,用现有的duv光刻机,可以『拼凑』出接近14nm的线宽。但是,代价极其高昂。”
章宸调出了一组模擬数据,
“工序步骤会增加三倍以上,导致良率大幅下降,成本飆升,而且电晶体性能、功耗都会弱於真正的euv工艺。这条路,只能作为战术过渡,无法支撑我们未来与水果、湾积电在高端晶片上的战略竞爭。”
又是一阵沉默。前路似乎被堵死了。自主研发euv,难度如同登天;绕开euv,则意味著永远在性能上低人一等,无法真正登顶。
突然,陈醒抬起头,目光不再是审视难题的凝重,而是破釜沉舟的决绝。
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